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半導體材料工藝正在從第一代單質(zhì)半導體,往砷化鎵(GaAs)、氮化鎵(GaN)和碳化硅(SiC)等第二、第三代半導體發(fā)展,材料的升級也為行業(yè)加工提出了新的要求與挑戰。
芯片需要將晶圓上的一個(gè)子單元即一個(gè)晶片顆粒從晶圓體上分割得到,晶圓劃片工序就是指將晶圓或組件進(jìn)行劃片(切割)或開(kāi)槽,以利后續制程或功能性測試。晶圓劃片對切割精度要求很高;晶圓本體都是由超脆材料組成,對正崩和背崩的控制也十分嚴格;晶圓產(chǎn)品都是高附加值產(chǎn)品,對劃片設備的可靠性要求也很高。
隨著(zhù)半導體制作工藝的越來(lái)越精細,制作成本越來(lái)載高,行業(yè)對于單晶圓的產(chǎn)品利用率也提出了更高的要求。激光晶圓劃片可以讓芯片排版間距更細、加工過(guò)程更清潔、高效,已經(jīng)成為半導體企業(yè)提升產(chǎn)品生產(chǎn)效率和生產(chǎn)品質(zhì)的重要手段。
特別是一些含有low-k材料的晶圓或芯片,其松軟結構和易滲透性,使得CMP(化學(xué)機械研磨)和清潔工序變得更為艱難,并導致成品率下降和生產(chǎn)成本的提高,盛雄激光的超快激光晶圓加工系統切割精確,熱影響區小,無(wú)接觸加工,無(wú)需清潔工序,沒(méi)有二次污染,成為行業(yè)首選。
【藍寶石襯底】制作LED芯片,可選用藍寶石襯底,使GaN基材料和器件的外延層主要生長(cháng)在藍寶石襯底上。藍寶石襯底有許多的優(yōu)點(diǎn):首先,藍寶石襯底的生產(chǎn)技術(shù)成熟、器件質(zhì)量較好;其次,藍寶石的穩定性很好,能夠運用在高溫生長(cháng)過(guò)程中;最藍寶石的機械強度高,易于處理和清洗。因此,大多數工藝一般都以藍寶石作為襯底。
【藍寶石襯底】
【碳化硅襯底】碳化硅襯底(美國的CREE公司專(zhuān)門(mén)采用SiC材料作為襯底)的LED芯片電極是L型電極,電流是縱向流動(dòng)的。采用這種襯底制作的器件的導電和導熱性能都非常好,有利于做成面積較大的大功率器件。使用碳化硅襯底的芯片電極為L(cháng)型,兩個(gè)電極分布在器件的表面和底部,所產(chǎn)生的熱量可以通過(guò)電極直接導出;同時(shí)這種襯底不需要電流擴散層,因此光不會(huì )被電流擴散層的材料吸收,這樣又提高了出光效率。但是相對于藍寶石襯底而言,碳化硅制造成本較高,實(shí)現其商業(yè)化還需要降低相應的成本。
【碳化硅襯底】
盛雄激光皮秒激光劃片系統通過(guò)貝塞爾或DOE光學(xué)系統,把高斯激光光束壓縮到衍射極限,在 100—200kHz高重復頻率和10ps極短脈寬的激光束作用下,聚焦光 斑直徑小至3μm,具有非常高的峰值功率密度,其在透明材料內部聚 焦時(shí),瞬間氣化該區域材料從而產(chǎn)生一個(gè)氣化帶,并向上下兩表面擴 散形成非線(xiàn)性裂紋,從而實(shí)現對材料的切割分離。常見(jiàn)的透明材料有 包括玻璃、藍寶石和半導體硅片(紅外輻射是能夠透射半導體硅材料 的)都適合用皮秒&飛秒激光劃片加工。
盛雄激光的非接觸激光內聚焦晶圓劃片解決方案,在各種外形晶圓切割劃片加工中,有著(zhù)十分顯著(zhù)的優(yōu)勢,加工過(guò)程中無(wú)需額外濕清洗制程,完全避免對半導體器件內外表面產(chǎn)生二次污染和物理?yè)p傷。生產(chǎn)自化程度高,生產(chǎn)效率和生產(chǎn)良率有充分保證。相比于傳統的切割工藝具有切縫窄,工件變形小,無(wú)接觸加工、適應性和靈活性等優(yōu)點(diǎn)。
主要設備:皮秒激光全自動(dòng)晶圓劃片機
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